光伏百科：硅片清洗及原理
清洗時，一般應(yīng)在75～85℃條件下清洗、清洗15 分鐘左右，然后用去離子水沖洗干凈。Ⅰ號清洗劑（APM）和Ⅱ號清洗劑（HPM）有如下優(yōu)點：
（1）這兩種清洗劑能很好地清洗硅片上殘存的蠟、松香等有機物及一些重金屬如金、銅等雜質(zhì)；
�。�2）相比其它清洗劑，可以減少鈉離子的污染；
�。�3）相比濃硝酸、濃硫酸、王水及鉻酸洗液，這兩種清洗液對環(huán)境的污染很小，操作相對方便。
2.超聲波在清洗中的作用
目前在半導體生產(chǎn)清洗過程中已經(jīng)廣泛采用超聲波清洗技術(shù)。超聲波清洗有以下優(yōu)點：
�。�1）清洗效果好，清洗手續(xù)簡單，減少了由于復(fù)雜的化學清洗過程中而帶來的雜質(zhì)的可能性；
�。�2）對一些形狀復(fù)雜的容器或器件也能清洗。
超聲波清洗的缺點是當超聲波的作用較大時，由于震動磨擦，可能使硅片表面產(chǎn)生劃道等損傷。
超聲波產(chǎn)生的原理：高頻震蕩器產(chǎn)生超聲頻電流，傳給換能器，當換能器產(chǎn)生超聲震動時，超聲震動就通過與換能器連接的液體容器底部而傳播到液體內(nèi)，在液體中產(chǎn)生超聲波。
3.真空高溫處理的清洗作用
硅片經(jīng)過化學清洗和超聲波清洗后，還需要將硅片真空高溫處理，再進行外延生長。真空高溫處理的優(yōu)點：
�。�1）由于硅片處于真空狀態(tài)，因而減少了空氣中灰塵的玷污；
（2）硅片表面可能吸附的一些氣體和溶劑分子的揮發(fā)性增加，因而真空高溫易除去；
（3）硅片可能玷污的一些固體雜質(zhì)在真空高溫條件下，易發(fā)生分解而除去。
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