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光伏百科:硅片清洗及原理

  下面討論各種步驟中試劑的作用。

  a.有機溶劑在清洗中的作用

  用于硅片清洗常用的有機溶劑有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗過程中,甲苯、丙酮、酒精等有機溶劑的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蠟等有機物雜質。所利用的原理是“相似相溶”。

  b.無機酸在清洗中的作用

  硅片中的雜質如鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質,只能用無機酸除去。有關的反應如下:

  2Al+6HCl=2AlCl3+3H2↑

  Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O

  Cu+2H2SO4= CuSO4 +SO2↑+2H2O

  2Ag+2H2SO4=2Ag2SO4+SO2↑+2H2O

  Cu+4HNO3= Cu(NO3)2 +2NO2↑+2H2O

  Ag+4HNO3= AgNO3+2NO2↑+2H2O

  Au+4HCl+HNO3=H[AuCl4] +NO↑+2H2O

  SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O

  如果HF 過量則反應為:SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O

  H2O2 的作用:在酸性環(huán)境中作還原劑,在堿性環(huán)境中作氧化劑。在硅片清洗中對一些難溶物質轉化為易溶物質。如:

  As2S5+20 H2O2+16NH4OH=2(NH4)3AsO4+5(NH4)2SO4+28H2O

  MnO2+ H2SO4+ H2O2= MnSO4+2H2O+O2↑

  c.RCA 清洗方法及原理

  在生產中,對于硅片表面的清洗中常用RCA 方法及基于RCA 清洗方法的改進,RCA 清洗方法分為Ⅰ號清洗劑(APM)和Ⅱ號清洗劑(HPM)。Ⅰ號清洗劑(APM)的配置是用去離子水、30%過氧化氫、25%的氨水按體積比為:5:1:1 至5:2:1;Ⅱ號清洗劑(HPM)的配置是用去離子水、30%過氧化氫、25%的鹽酸按體積比為:6:1:1 至8:2:1。其清洗原理是:氨分子、氯離子等與重金屬離子如:銅離子、鐵離子等形成穩(wěn)定的絡合物如:[AuCl4]-、[Cu(NH3)4]2+、[SiF6]2-。

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