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太陽能單晶硅錠及其制造方法

2013-02-20 16:58

　　單晶硅片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的制備方法

　　本發(fā)明公開了一種單晶硅片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的制備方法。采用位向分別為（100）及（111）的兩種單晶硅片為載膜襯底，通過磁控濺射沉積25～150nm厚度的純鐵膜，再將純鐵膜和在硫化溫度下能產(chǎn)生80kPa壓力所需質(zhì)量的升華硫粉封裝于石英管中，抽真空后密封置于加熱爐中以3℃/min的升溫速率加熱至400～500℃進(jìn)行熱硫化反應(yīng)10～20h，以2℃/min的速率降溫至室溫。本發(fā)明簡(jiǎn)化了直接濺射二硫化鐵時(shí)通入硫蒸氣或硫化氫的復(fù)雜過程，所合成的二硫化鐵薄膜具有較標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)計(jì)量成分，不出現(xiàn)過渡相；薄膜與襯底之間具有較高的附著力，不易產(chǎn)生局部剝落；可以為關(guān)于襯底晶體結(jié)構(gòu)和晶格參數(shù)對(duì)二硫化鐵晶體生長影響規(guī)律的研究提供實(shí)驗(yàn)樣品。

　　單晶硅高效復(fù)合切割方法及其切割系統(tǒng)

　　一種單晶硅高效復(fù)合切割方法，其特征將是將待切割的單晶硅棒裝夾于電火花線切割機(jī)床上，利用固結(jié)有金剛石磨料的金屬線作為切割線進(jìn)行電火花線切割，充分發(fā)揮電火花線切割加工速度快和固結(jié)磨料金屬線上的金剛石磨料切割效果好的優(yōu)點(diǎn)，達(dá)到快速高效實(shí)現(xiàn)對(duì)單晶硅棒進(jìn)行切割的目的，同時(shí)使被切割的單晶硅表面自然形成具有減反射效果的絨面結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有方法簡(jiǎn)單，加工效率高，質(zhì)量好等一系列優(yōu)點(diǎn)。

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