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太陽能單晶硅錠及其制造方法

2013-02-20 16:58

　　單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜類P－N結及其制作方法

　　本發(fā)明屬單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜的類Ｐ－Ｎ結及制作方法。單晶硅襯底加溫并加負偏壓，六角氮化硼作源加射頻功率，氬氣作工作氣體，在襯底上沉積c－ＢＮ薄膜，二者間形成類Ｐ－Ｎ結。再經鍍鋁滲鋁形成歐姆接觸電極。本發(fā)明在形成機理、構成結的晶體形態(tài)及制作方法上都不同于傳統(tǒng)Ｐ－Ｎ結，但具有傳統(tǒng)Ｐ－Ｎ結的電學特性，電容值增大１０６倍，由于c－ＢＮ能隙大于６．４ev的寬禁帶，使類Ｐ－Ｎ結具有耐高溫、抗輻射、大功率運轉等優(yōu)良性能。

　　低濃度鈣雜質的石墨支撐容器及其在制造單晶硅中的應用

　　拉制單晶硅的方法和所用的石墨支撐容器。拉制單晶硅時，堿土金屬和堿金屬特別是鈣的濃度嚴重影響石英容器的不均勻反玻璃化。用低濃度鈣的石墨支撐容器，在拉單晶硅時可以使盛裝熔硅的透明石英容器不發(fā)生嚴重的不均勻反玻璃化，甚至在將支撐容器加熱到較高溫度時也具有以上效果，所述鈣濃度最好按重量計不超過約１ｐｐｍ。減少透明石英容器的局部結晶度，可以減少喪失石英容器結構完整性的可能性，從而提高硅晶體的質量，增加零位錯生長。

　　單晶硅片抗機械力的提高

　　本發(fā)明與單晶硅片的減薄方法相關，以便圓片最終厚度小于８０um。

　　生長富空位單晶硅的熱屏蔽組件和方法

　　在直接法拉晶機中采用熱屏蔽組件，用于有選擇地保護半導體材料的單晶錠料，以便控制錠料單晶結構中聚集的缺陷類型和數(shù)據密度。熱屏蔽組件具有一個上熱屏蔽，該上熱屏蔽連接到一個下熱屏蔽上。上熱屏蔽和下熱屏蔽相互連接，并滑動式連接到一個中間熱屏蔽上。下熱屏蔽能夠向上伸入中間熱屏蔽，以便使位于拉晶機單晶生長室內部的熱屏蔽組件的外形減至最小。然而，當必須控制單晶錠料的形成時，下熱屏蔽可以從中間熱屏蔽延伸，并向下伸入拉晶機坩堝中，以便非�？拷釄逯腥刍陌雽w原材料的上表面。還公開了應用熱屏蔽組件的方法。

　　用于單晶硅生長的非Dash縮頸法

　　制造單晶硅棒的非Dash縮頸法，該單晶硅棒按照直拉法拉晶。該方法其特征在于：在硅棒生長開始之前，讓一大直徑、無位錯的籽晶進行熱平衡，以避免形成由對單晶熱沖擊而產生的位錯。該方法其特征還在于：采用電阻加熱器來熔化籽晶的下面末端，以便在它接觸熔體之前，形成一熔化的帽體。該方法生產出一種單晶硅棒，此種單晶硅棒具有大直徑的短縮頸，該大直徑的短縮頸是無位錯的，并能在生長和隨后的處理期間，支承至少重約１００kg的硅棒。