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　　本發(fā)明涉及單晶硅錠及其制造方法。其底部側(cè)直胴部的特性與頂部側(cè)直胴部及中部側(cè)直胴部的特性相近似，高品位單晶硅的制品數(shù)率高，而且在直胴部整個(gè)長(zhǎng)度上的品質(zhì)大致均勻。并可按同一形狀反復(fù)制造，在每批制品間，底部的形狀沒(méi)有偏差。這種效果是通過(guò)控制底部２２的直徑Ｄ2使得直胴部側(cè)底部２ａ的外表面相對(duì)于直胴部１的外表面連續(xù)具有１０—２５度的傾斜角θ而獲得。

　　提拉單晶硅的裝置

　　一種提拉硅單晶裝置，包括裝置主體，其中配置坩堝且坩堝包括石英坩堝部件和坩堝保護(hù)部件，環(huán)繞坩堝外部配置加熱元件，在加熱元件外部配置保溫筒，和在保溫筒和裝置主體之間配置隔熱材料，其中由碳質(zhì)材料制造的保溫筒和／或坩堝保護(hù)部件內(nèi)側(cè)至少上部區(qū)域用熱分解碳膜覆蓋。

　　直拉生長(zhǎng)單晶硅期間實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和控制氧的一氧化硅探針

　　一種接近實(shí)時(shí)定量化諸如直拉硅熔體的熔體硅池?fù)]發(fā)的和熔體上方氣氛中存在的一氧化硅的數(shù)量的方法。優(yōu)選的方法包括將從硅熔體上方氣氛提取的含有一氧化硅的氣體試樣與反應(yīng)劑反應(yīng)生成可檢測(cè)的反應(yīng)產(chǎn)物，測(cè)定所生成反應(yīng)產(chǎn)物的量，和將所測(cè)定反應(yīng)產(chǎn)物的量換算成氣氛中存在的一氧化硅量。一氧化硅的量化用于監(jiān)視和／或控制硅熔體的氧量或從硅熔體正在提拉的單晶硅中的氧含量。還公開(kāi)了一種一氧化硅探針和使用該探針監(jiān)視和／或控制氧的一種系統(tǒng)。

　　雙電極單晶硅電容加速度傳感器及其制造方法

　　一種雙電極單晶硅電容加速度傳感器，包括一質(zhì)量塊，至少兩根彈性梁，若干細(xì)長(zhǎng)片，由底部挖孔的硅外延層構(gòu)成，支撐彈性梁的臺(tái)座，上部由硅外延層構(gòu)成，下部由氧化層將其與襯底隔開(kāi)，起電絕緣作用，細(xì)長(zhǎng)片側(cè)面用來(lái)制作橫向可變電容器的活動(dòng)電極，質(zhì)量塊和細(xì)長(zhǎng)片的底面用來(lái)制作縱向可變電容器的活動(dòng)電極，橫向可變電容器的固定電極由若干與襯底電絕緣但與襯底硬連接的細(xì)長(zhǎng)片構(gòu)成，縱向可變電容器的固定電極由襯底面構(gòu)成。

　　通過(guò)控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品

　　一種硅錠按一拉晶速率分布下進(jìn)行，其拉速要足夠高以限制間隙凝聚，且還要足夠低以便將空位凝聚限定在晶錠軸向上的富含空位區(qū)上。將晶錠切割成許多半純晶片，每個(gè)晶片在中央具有富含空位區(qū)，包括空位凝聚，和在富含空位區(qū)與晶片邊緣之間的純度區(qū)，無(wú)空位凝聚和間隙凝聚。按照本發(fā)明的另一方面，晶錠可按一拉晶速率分布拉制硅錠，其拉速要足夠高以便防止間隙凝聚，且還要足夠低以便防止空位凝聚。因此，當(dāng)將該晶錠切割成晶片時(shí)，晶片為純硅晶片，可包含點(diǎn)缺陷，但無(wú)空位凝聚團(tuán)的間隙凝聚團(tuán)。