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　　形成單晶硅層的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法

　　在其上形成臺(tái)階（４）的作為籽晶的絕緣襯底（１）上淀積單晶硅，形成硅外延層（７）。在低溫甚至在其有相對(duì)低應(yīng)變點(diǎn)的大玻璃襯底上均勻生長(zhǎng)硅外延層（７），使它可能在其上制造大電流密度的高速半導(dǎo)體元件。

　　熱退火后的低缺陷密度單晶硅

　　一種具有中心軸、通常垂直于中心軸的正面和反面、正面與反面之間的中心平面、外圍邊沿、以及從中心軸延伸到外圍邊沿的半徑的單晶硅晶片。此晶片包含第一和第二軸對(duì)稱區(qū)。第一軸對(duì)稱區(qū)從外圍邊沿向內(nèi)徑向延伸，含有硅自填隙作為占優(yōu)勢(shì)的本征點(diǎn)缺陷，且基本上無聚集的填隙缺陷。第二軸對(duì)稱區(qū)以空位為占優(yōu)勢(shì)的本征點(diǎn)缺陷，它包含從正面向中心平面延伸的表面層和從表面層向中心平面延伸的本體層，其中存在于表面層中的聚集空位缺陷的數(shù)量密度低于本體層中的濃度。

　　從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結(jié)構(gòu)

　　本發(fā)明涉及一種硅－絕緣體（SOI）結(jié)構(gòu)，它有一層低缺陷密度器件層，還可以有一具有較好吸附雜質(zhì)能力的基底硅片。該器件層包含一中央軸，一圓周邊緣，一個(gè)從中央軸延至圓周邊緣的半徑，以及一個(gè)第一軸對(duì)稱區(qū)，其中基本沒有堆積本征點(diǎn)缺陷。另外本發(fā)明還針對(duì)這樣一種SOI結(jié)構(gòu)，其有一片切氏單晶硅基底硅片，該基底硅片在經(jīng)受幾乎任意電子學(xué)器件制作過程都要采用的熱處理周期時(shí)，能夠形成一個(gè)理想的氧淀析物非均勻深度分布。

　　標(biāo)定單晶硅晶圓晶向的方法

　　一種涉及微機(jī)械和微電子領(lǐng)域的用于標(biāo)定單晶硅晶圓晶向的方法。通過一套精心設(shè)計(jì)的比對(duì)圖案和隨之而進(jìn)行的預(yù)刻蝕加工，將晶圓的晶向清晰地暴露出來，通過觀察不同的比對(duì)圖案所形成的刻蝕結(jié)果，可以將晶圓的晶向標(biāo)定誤差控制在±0.1°之內(nèi)，采用數(shù)字圖象處理技術(shù)對(duì)刻蝕結(jié)果作進(jìn)一步的處理，則該標(biāo)定精度還可以提高到±0.05°或者更高的水平。

　　制備具有均勻熱過程的單晶硅的方法

　　一種生產(chǎn)單晶硅錠的Czochralski法具有一均勻的熱過程。在該方法中，在晶錠的主體和尾錐生長(zhǎng)的整個(gè)過程中使加到側(cè)面加熱器上的功率保持基本上恒定，而在主體的第二個(gè)一半和尾錐生長(zhǎng)過程中逐漸增加加到底部加熱器上的功率。本方法能得到一種晶錠，使從該晶錠生產(chǎn)出的晶片具有較少超過約0.2微米的光點(diǎn)缺陷，同時(shí)具有改善的柵氧化層完整性。