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　　光伏設(shè)備指光伏制造型企業(yè)用于生產(chǎn)原料、電池組件、零部件等產(chǎn)品中使用的，并在反復(fù)使用中基本保持原有實(shí)物形態(tài)和功能的機(jī)器設(shè)備。

　　光伏設(shè)備主要包括硅棒/硅錠制造設(shè)備、硅片/晶圓制造設(shè)備、電池片制造設(shè)備、晶體硅電池組件制造設(shè)備、薄膜組件制造設(shè)備等5大類。

　　蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，隨著行業(yè)的興起，蝕刻技術(shù)越來越多的被應(yīng)用到光伏中，光伏蝕刻設(shè)備生產(chǎn)商也越來越多。下面，OFweek太陽能光伏網(wǎng)編輯按照所占的蝕刻設(shè)備市場份額(非靜態(tài)指標(biāo))列出了十大光伏蝕刻設(shè)備生產(chǎn)商，僅供參考（排名不分先后）。

　　NO.1 RENAGmbH

　　RENA成立于1993年，主營：設(shè)備及工藝�？偛课挥诘聡�古滕巴赫。

　　RENAGmbH產(chǎn)品用于治療水，廢水和化學(xué)品和表面處理，如太陽能電池、電路板和牙科植入物用濕化學(xué)物質(zhì)或水。麗娜生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)化的機(jī)器和系統(tǒng)保證流程和機(jī)器和系統(tǒng)針對特定的客戶需求。

　　公司提供全套太陽能光伏工藝和設(shè)備的研發(fā)服務(wù)，采用最先進(jìn)的技術(shù)工藝和全自動的解決方案，迎接太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的挑戰(zhàn)。

　　“三思而行、展望未來、關(guān)注明天、保持領(lǐng)先”作為全球濕法化學(xué)腐蝕技術(shù)的最大供應(yīng)商之一，RENA的目標(biāo)是用開創(chuàng)性的解決方案來滿足客戶在此新興領(lǐng)域中的需求。RENA致力于改進(jìn)行業(yè)世界標(biāo)準(zhǔn)，在光電、半導(dǎo)體工業(yè)、電鍍及醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域等都是一個(gè)廣受好評的合作伙伴，并始終以“維護(hù)顧客利益，顧客至上”作為宗旨。

　　NO.2 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

　　中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所成立于1964年，位于長沙。國家級微電子、太陽能電池、光電材料、電力電子、磁性材料專用設(shè)備的研發(fā)及生產(chǎn)專業(yè)機(jī)構(gòu)。國內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)基地、最大的太陽能電池制造和電子工業(yè)窯爐供應(yīng)基地、應(yīng)變式薄膜壓力傳感器國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地。擁有一流的設(shè)計(jì)及加工手段，為科技部授牌的全國CAD應(yīng)用工程示范單位。

　　中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所連續(xù)承擔(dān)國家微電子、光電子重大科技攻關(guān)項(xiàng)目，始終走在行業(yè)科技發(fā)展的最前端。

　　中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所已實(shí)施2000版ISO9001及GJB9001質(zhì)量管理體系，是通過質(zhì)量保證體系認(rèn)證的國內(nèi)電子專用設(shè)備廠家。

　　中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所數(shù)十年來，四十八所始終立足于行業(yè)科技發(fā)展的前端，共取得重大科研成果138余項(xiàng)，其中填補(bǔ)國內(nèi)空白項(xiàng)目32項(xiàng)，達(dá)到國際先進(jìn)水平42項(xiàng)，列為國家替代進(jìn)口項(xiàng)目14項(xiàng)。共獲國家科技進(jìn)步獎和國家發(fā)明獎等省、部級以上科研成果獎97余項(xiàng)。