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　　金屬半導(dǎo)體接觸

　　具有整流效應(yīng)的金屬半導(dǎo)體接觸叫做肖特基接觸，以此為基礎(chǔ)制成的二極管稱為肖特基二極管。

　　沒有整流效應(yīng)的金屬半導(dǎo)體接觸叫做歐姆接觸。

　　在一定范圍內(nèi)，半導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而降低，金屬導(dǎo)體的電阻隨溫度的升高而升高。由于電流通過后要產(chǎn)熱，兩個(gè)按一定比例串聯(lián)接入電路后，剛好互補(bǔ)，從而使電阻不隨溫度的變化而變化。歐姆接觸時(shí)，接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻，大部分的電壓降在于活動區(qū)而不在接觸面。即歐姆接觸不會形成附加的阻抗，不會影響半導(dǎo)體中的平衡載流子濃度。

　　一般的本征半導(dǎo)體和金屬接觸產(chǎn)生肖特基勢壘，如果半導(dǎo)體有很高的摻雜濃度，則接觸近似為歐姆接觸。

　　用E0表示真空中金屬表面外靜止電子的能量，那么，一個(gè)電子要從金屬躍遷到體外所需的最小能量為

　　Wm=E0 - Efm

　　稱為金屬的功函數(shù)或逸出功。（由費(fèi)米能級的意義可知，能量小于費(fèi)米能級的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率是很高的，大部分電子處于費(fèi)米能級以下）

　　同樣的，對于半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體 的功函數(shù)就是E0和費(fèi)米能級Efs之差，即

　　Ws=E0 - Efs

　　當(dāng)金屬和n型半導(dǎo)體材料接觸時(shí)，如果金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)，那么金屬的費(fèi)米能級就低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級，而且兩者的費(fèi)米能級之差就等于功函數(shù)之差，即

　　Efs - Efm = Wm-Ws

　　接觸后，雖然金屬的電子濃度要大于半導(dǎo)體的電子濃度，但由于金屬的費(fèi)米能級低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級，導(dǎo)致半導(dǎo)體中的電子流向金屬。（類似于電子由n流向p）

　　理論上講，要形成歐姆接觸，金屬的功函數(shù)必須小于n型半導(dǎo)體功函數(shù)，即n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級小于金屬費(fèi)米能級。但除了金屬的功函數(shù)外，還有其他因素影響歐姆接觸的形成，其中最重要的是表面態(tài)。當(dāng)半導(dǎo)體具有高表面態(tài)密度時(shí)，金屬功函數(shù)的影響甚至將不再重要（這也是Wm＞W(wǎng)s時(shí)，也可形成歐姆接觸的原因）。根據(jù)歐姆接觸的性質(zhì)，實(shí)際工藝中，常用的歐姆接觸制備技術(shù)有：低勢壘接觸、高復(fù)合接觸和高摻雜接觸。

　　高摻雜接觸，是在半導(dǎo)體表面摻入高濃度的施主或受主電學(xué)雜質(zhì)，導(dǎo)致金屬半導(dǎo)體接觸的勢壘很�。〒诫s使禁帶寬度變窄？）。在室溫下，電子通過隧道效應(yīng)產(chǎn)生隧道電流，從而不能阻擋電子的流動，接觸電阻很小，最終形成歐姆接觸。