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　　一、 多晶硅簡(jiǎn)介

　　多晶硅：polycrystalline silicon。是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，當(dāng)熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列形成許多晶核，這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，這些晶粒結(jié)合起來(lái)就形成了多晶硅。

　　1、 多晶硅的性質(zhì)

　　多晶硅的分子式為Si，分子量為28.08g/mol，熔點(diǎn)1410℃，沸點(diǎn)2355℃。具有灰色的金屬光澤，密度介于2.32和2.34kg/m3之間，硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆易碎。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、鹽酸和硝酸。常溫下不活波，高溫下能與氧、氮、硫等反應(yīng)。在熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎所有材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但是微量的雜質(zhì)即可大大的影響其導(dǎo)電性。

　　2、 多晶硅產(chǎn)品的分類

　　多晶硅按純度分類可以分為冶金級(jí)（金屬硅）、太陽(yáng)能級(jí)、電子級(jí)。

　　冶金級(jí)硅（MG）：是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成。一般含 Si為95%左右，高達(dá)99.8%以上。

　　太陽(yáng)能級(jí)硅（SG）：純度介于冶金級(jí)硅與電子級(jí)硅之間，至今未有明確界定。一般認(rèn)為含Si在99.99~99.999 9%

　　電 子 級(jí) 硅（EG）：一 般 要 求 含Si在99.999 9%以 上，超 高 純 達(dá) 到99.999 999 9%~99.999 999 999%。

　　3、 多晶硅的用途

　�、� 可做成太陽(yáng)能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?/p>

　　自1954年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室成功研制第一塊單晶硅太陽(yáng)能電池以來(lái)，太陽(yáng)能逐漸成為各國(guó)越來(lái)越關(guān)注的“綠色”能源。1998年全世界多晶硅太陽(yáng)電池的產(chǎn)量首次超過(guò)了單晶硅太陽(yáng)電池的產(chǎn)量， 2001 年多晶硅太陽(yáng)電池的市場(chǎng)占有份額為52% ，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出單晶硅太陽(yáng)電池35%的市場(chǎng)占有量［1］ ， 到2010年， 全球10GW 的太陽(yáng)電池產(chǎn)量中， 多晶硅約占9000MW。當(dāng)前，晶體硅材料是最主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90%以上，而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)電池的主流材料［2］。

　　⑵ 高純的晶體硅是重要的半導(dǎo)體材料

　　在 IT產(chǎn)業(yè)中，多晶硅用于生產(chǎn)單晶硅。單晶硅即硅半導(dǎo)體，是多晶硅的衍生產(chǎn)品，它是制造集成電路和電子元件的優(yōu)質(zhì)材料。全世界半導(dǎo)體器件中有95%使用硅材料制成的，其中85%的集成電路是由硅材料制成的［3］。由于硅半導(dǎo)體耐高電壓、耐高溫、晶帶寬度大，比其它半導(dǎo)體材料有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)、可靠性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛用于電子工業(yè)集成電路的生產(chǎn)中硅材料是信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)材料［5］ ［6］。