IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載查看詳情>流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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光伏逆變器“核心器件”IGBT在光伏逆變器的應(yīng)用
自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來(lái),太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國(guó)高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展,經(jīng)過(guò)多年的研究和技術(shù)開(kāi)發(fā),太陽(yáng)能光伏組件價(jià)格已大幅下降,且太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化效率也得以提高,使得太陽(yáng)能光伏發(fā)電的商業(yè)化開(kāi)發(fā)與應(yīng)用成為現(xiàn)實(shí)
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宏微科技:光伏、乘用車(chē)IGBT模塊積極拓展,業(yè)績(jī)持續(xù)高增長(zhǎng)
本文來(lái)自方正證券研究所2022年1月20日發(fā)布的報(bào)告《宏微科技:光伏、乘用車(chē)IGBT模塊積極拓展,業(yè)績(jī)持續(xù)高增長(zhǎng)》,欲了解具體內(nèi)容,請(qǐng)閱讀報(bào)告原文事件:1月19日,公司發(fā)布2021年度業(yè)績(jī)預(yù)告,預(yù)計(jì)2
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新能源汽車(chē)、光伏雙重奏,IGBT有多香?
- 這是 海豚投研 的第 287 篇原創(chuàng)文章 -新能源車(chē)的快速發(fā)展,直接帶來(lái)汽車(chē)含硅量的上升。而其中以IGBT等為主的功率半導(dǎo)體又是汽車(chē)電動(dòng)化中不可或缺的一環(huán)。以上海的新能源車(chē)為例,2021年的新能源車(chē)上牌數(shù)將實(shí)現(xiàn)翻倍以上增長(zhǎng)
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阿基米德半導(dǎo)體獲3億元融資,將推動(dòng)車(chē)規(guī)級(jí)及光伏SiC/IGBT落地
“本輪投資領(lǐng)投方為合肥國(guó)資!弊髡撸嚎涤吁庉嫞簍uya出品:財(cái)經(jīng)涂鴉(ID:caijingtuya)11月17號(hào),根據(jù)IT桔子,阿基米德半導(dǎo)體獲3億元天使輪融資,本輪投資方包括霍爾木茲基金、海德麥哲
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IGBT/MOSFET技術(shù)促使太陽(yáng)能面板轉(zhuǎn)換效率猛進(jìn)
隨著節(jié)能觀念興起,再生能源的發(fā)電效率也逐漸受到重視,為迎合市場(chǎng)需求,太陽(yáng)能業(yè)者皆無(wú)所不用其極努力打造節(jié)能高效的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。受惠近期太陽(yáng)能光伏逆變器中的IGBT與MOSFET兩項(xiàng)功率元件技術(shù)顯著進(jìn)步,太陽(yáng)能面板轉(zhuǎn)換效率已大幅提升。
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