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　　4．a(chǎn)-Si太陽電池效率低下的原因

　　非晶硅太陽電池屬于半導體結型太陽電池�？梢砸罁�(jù)結型太陽電池的模型對其理想的光伏性能作出估算。

　　光電轉換效率

　　其中Voc，Isc和FF分別為開路電壓、短路電流和填充因子，入射光能通常取一個標準太陽的光能，為100mW/cm2，短路電流等于光電流Il，Isc=Il=qφΙhv》Eg

　　n= l的理想情況相差較大。

　　4）a一St太陽電池的P區(qū)和N區(qū)的電阻率較高，TC0/P一a一Si（或N一a一Si）接觸電阻較高，甚至存在界面壁壘，這就帶來附加的能量損失。以上這些問題必須由新的措施來解決，這就構成了非晶硅太陽電池下一階段發(fā)展的主要任務。

　　三、非晶硅太陽電池進一步的發(fā)展與現(xiàn)狀

　　1．非晶硅太陽電池技術完善與提高

　　由于發(fā)展勢頭遭到挫折，八十年代未九十年代初，非晶硅太陽電池的發(fā)展經(jīng)歷了一個調整、完善和提高的時期。人們一方面加強了探索和研究，一方面準備在更高技術水平上作更大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。中心任務是提高電池的穩(wěn)定化效率。探索了許多新器件結構、新材料、新工藝和新技術。其核心就是完美結技術和疊層電池技術。在成功探索的基礎上，九十年代中期出現(xiàn)了更大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的高潮。先后建立了多條數(shù)兆瓦至十兆瓦高水平電池組件生產(chǎn)線，組件面積為平方米量級，生產(chǎn)流程實現(xiàn)全自動，產(chǎn)品組件面積在平方米量級。采用新的封裝枝術，產(chǎn)品組件壽命在十年以上。組件生產(chǎn)以完美結技術和疊層電池技術為基礎。產(chǎn)品組件效率達到6個8人中試組件（面積900CM2左右）效率達9％一11%；小面積電池最高效率達14.6％。

　　2．完美結技術

　　完美結技術是下列技術的組合，（1）采用帶織構的S102／Sn02／Zn0復合透明導電膜代替IT0或Sn02單層透明導電電極。復合膜電極具有，阻擋離子污染、增大入射光吸收和杭等離子還原反應的效果。（2）在TC0/P界面插入6摻雜層以克服界面壁壘。（3）P層材料采用寬帶隙高電導的微晶薄膜，如µc一Slc，可以減少P層的光吸收損失；減少電池的串聯(lián)電阻。（4）為減少P/I界面缺陷，減少二極管質量因子，在P/I界面插入C含量緩變層。此層的最佳制備方法是交替淀積與氫處理法。（5）低缺陷低氫含量的I層。用精確控制摻雜濃度的梯度摻雜法，使離化雜質形成的空間電荷與光照產(chǎn)生的亞穩(wěn)空間電荷中和，保持穩(wěn)定均勻的內建電場。這是從器件結構上消除光至衰退效應的又一種方案。（6）1／N界面緩變以減少界面缺陷。（7）采用pc一n一S1可以減少電池的串聯(lián)電阻，同時減少長波長光的損失。（8）采用ZnO/AI復合背電極增強對長波長光的反射，增加在電池中的光程，從而增加太陽電池的光的吸收利用。值得一提的是，我國在八。五攻關中采用此類技術，實現(xiàn)大面積（900CM2） 件電池6.55％的穩(wěn)定效率。小面積電池單結開路電高達1. 12伏。