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　　按照本發(fā)明，用一個隔板環(huán)將放有熔化原料的坩堝的內(nèi)部隔開，從而使被提拉的單晶被包圍并且使熔化原料可以流動，顆粒狀硅加到隔板環(huán)的外側(cè)，從而使外側(cè)的熔化液體成為一個顆粒狀硅的可溶區(qū)域，以保持隔板環(huán)內(nèi)側(cè)的熔化液面幾乎保持恒定，并且用一塊保溫板復(fù)蓋隔板環(huán)及其外側(cè)的熔化液面，使隔板環(huán)外側(cè)的熔化液體溫度至少比其內(nèi)部的溫度高出１０℃，或更高些。

　　一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結(jié)構(gòu)

　　本發(fā)明涉及到太陽能光伏級單晶硅壓力傳感器的制造方法及其結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供了一種單晶硅壓力傳感器單面加工的新方法和單晶硅絕對壓力傳感器的盒式結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有制造工藝簡單、成品率高、成本低，與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。

　　單晶硅生產(chǎn)裝置

　　一種單晶硅生產(chǎn)裝置，包括一個置于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、隔板和加熱器，隔板將石英坩堝中的熔融硅料分成兩部分，內(nèi)側(cè)是單晶硅生長部分，外側(cè)是材料熔化部分；加熱器用以使單晶硅生長部分中的熔融硅料保持在適于單晶硅生長的溫度下，并為熔化裝進(jìn)材料熔化部分的原材料提供熱量；隔板上開有一些小孔。$隔板的材料為不透明的石英玻璃。$向材料熔化部分加入原材料而從單晶硅生長部分拉出單晶硅。$熔融硅料通過隔板小孔由材料熔化部分流入晶體生長部分。

　　制造單晶硅的設(shè)備

　　在本發(fā)明的單晶硅制造設(shè)備中，有一熱輻射屏在單晶生長區(qū)上方，以屏蔽和調(diào)節(jié)來自單晶生長區(qū)中熔融硅表面的熱輻射，而降低坩堝溫度從而降低單晶中的氧濃度以減少熔融硅中的氧量。該熱輻射屏包括一用金屬板覆蓋的耐火纖維材料，一多層金屬薄板組合件或一電阻加熱元件。此外，坩堝內(nèi)部還被一加工成許多小孔在隔離部件隔開，或一石英管沿該隔離件的圓周方向延伸安裝在其內(nèi)側(cè)，使熔融硅從物料熔化區(qū)流暢地流向單晶生長區(qū)并從而提供有效的措施。

　　單晶硅直徑測定法及其設(shè)備

　　本發(fā)明涉及一種測定單晶硅直徑的方法和設(shè)備。在用ＣＺ法提拉單晶的一規(guī)定轉(zhuǎn)動周期的間隔內(nèi)，用光學(xué)裝置對熔融環(huán)的亮度分布進(jìn)行取樣，由此得出該提拉單晶的直徑測定值，再用低通濾波器處理該直徑測定值，以產(chǎn)生轉(zhuǎn)換成時序直徑數(shù)據(jù)的濾波器輸出值，然后求出濾波器輸出值的移動平均值，從而計(jì)算出直徑值。本發(fā)明涉及的設(shè)備包括能完成上述測定方法的光學(xué)裝置、一低通濾波器和計(jì)算裝置。

　　單晶硅直徑控制法及其設(shè)備

　　單晶硅直徑的一種控制方法，在單晶硅邊相對于坩堝轉(zhuǎn)動邊受提拉的單晶硅制造過程中，將光學(xué)裝置測出的提拉單晶的直徑測定值與要求直徑值進(jìn)行比較，以確定偏差，再對得出的偏差進(jìn)行不完全微分ＰＩＤ處理或史密斯法處理，以計(jì)算提拉速度，再將提拉速度加到晶體提拉設(shè)備的電動機(jī)控制器上，從而通過控制提拉速度控制提拉單晶的參數(shù)。為完成上述單晶硅直徑的一種控制方法的設(shè)備，包括輸入裝置、不完全微分ＰＩＤ計(jì)算裝置和輸出裝置。