光伏每周技術(shù)資訊匯總(第八期)
俄亥俄的Third Frontier持續(xù)融資使該公司能夠使測試驗證和原型開發(fā)階段持續(xù)12到18個月。這段時間里,DyeTec Solar團隊將注重材料評估、設(shè)計、低成本生產(chǎn)流程以及有限數(shù)量外墻產(chǎn)品的生產(chǎn)。
Dyesol執(zhí)行主席Richard Caldwell表示:“Dyesol的科學家早已實現(xiàn)了低光轉(zhuǎn)換效率的高性能,但一直沒有進行第三方外部驗證,這次得以實現(xiàn)證明了我們的DSC條狀電池性能水平在低光條件下達到了近7.5%,強調(diào)了DSC作為一項環(huán)保增值技術(shù)的商業(yè)潛力!
日本印刷量產(chǎn)可抑制PID現(xiàn)象的太陽能電池模塊封裝材料
日本印刷公司開始量產(chǎn)用于太陽能電池模塊的封裝材料、背板及用于背面電極型單元的電路貼裝板。預計上述部件材料能為該公司2014年度帶來200億日元銷售額。
防止發(fā)生PID現(xiàn)象的封裝材料
目前,以歐洲為中心,由于高電壓下的絕緣不良導致電流漏出等,發(fā)生太陽能電池輸出功率降低的PID(potential induced degradation,電位誘發(fā)衰減)現(xiàn)象已經(jīng)成為一個嚴重的課題。估計原因之一是,在高電壓、高溫和高濕度等嚴峻條件下,封裝材料的水分滲透增加。
日本印刷此次量產(chǎn)的封裝材料“CVF系列”采用了聚烯烴,與使用“乙烯醋酸乙烯酯共聚物(EVA)”的產(chǎn)品相比,具有約10倍的防水性。因此,在高溫和高濕度條件下,即使施加1000V電壓,輸出也幾乎不會下降。而且,由于聚烯烴與EVA相比,可在更短時間內(nèi)層壓,因此太陽能電池廠商可在提高生產(chǎn)效率的同時,生產(chǎn)不易發(fā)生PID現(xiàn)象的太陽能電池。
而且,如果受到短波長(300nm左右)紫外線的照射,EVA會分解、變黃并產(chǎn)生酸性氣體,但CVF系列不易發(fā)生這種現(xiàn)象,且對廣泛波長區(qū)域的光具有出色的透射性。也可將紫外線區(qū)域的波長用于發(fā)電,因此有助于提高發(fā)電效率。
高度絕緣性背板
由于太陽能電池模塊的電壓會隨著效率的提高而增大,因此要求背板具有高度絕緣性。日本印刷此次開發(fā)出的背板“NR系列”,絕緣性提高到以往的數(shù)倍。該背板采用了改性聚苯醚(m-PPE),具有阻燃性高的特點。在高溫和高濕度條件下進行長期可靠性評測的結(jié)果顯示,該產(chǎn)品具有以往10倍以上的耐久性。
可簡化生產(chǎn)工序的電路板
背面電極型太陽能電池單元通過在單元背面集成集電電極以增加受光面積,可以提高發(fā)電效率,但同時也在單元背面形成正負電極,因此模塊生產(chǎn)工序變得復雜,這是其存在的課題。于是,日本印刷開發(fā)出了在薄板上形成電極電路圖案的“Bassline Sheet”。由于在生產(chǎn)太陽能電池模塊的層壓工序中,只要貼在單元上就可形成電極,因此可簡化生產(chǎn)工序。并且,該產(chǎn)品還支持背面電極單元中的金屬纏繞穿孔(metal wrap-through,MWT)和交叉背面接觸(interdigitated back contact,IBC)兩種方式。
Suniva太陽能光伏組件獲得PVEL授予的無PID認證
PV Evolution Labs(PVEL)實驗室近日宣布,Suniva獲得了PVEL的測試項目授予的無PID組件生產(chǎn)商最高級別認證。PVEL設(shè)立PID認證計劃是為生產(chǎn)商和項目投資商提供一種視角,深入了解光伏產(chǎn)品如何避免一些導致性能下降和組件故障的條件。
Suniva高級組件工程師Jon O’Neill表示:“Suniva的PVEL PID認證證明了我們高能電池和組件中所固有的質(zhì)量和可靠性,確保了客戶的能源輸出保持不變。”
PVEL指出其工程師測試了Suniva電池板在暴露在系統(tǒng)高壓(正負1000伏)的惡劣外部條件下(溫度85?C,相對濕度85%)600小時電子輸出的穩(wěn)定性。結(jié)果顯示,Suniva組件的性能優(yōu)于允許的性能下降限制。
PVEL創(chuàng)始人之一兼首席執(zhí)行官Jenya Meydbray表示:“我們模擬了安裝組件需要承受的正負接地系統(tǒng)電壓,這樣生產(chǎn)商和發(fā)電站所有者便能夠相信我們的組件能夠部署在適合的系統(tǒng)配置下。通過我們具有創(chuàng)新的測試項目,我們希望能提高業(yè)內(nèi)光伏質(zhì)量標準,減輕項目投資商的技術(shù)風險。”
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